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Global Perspective, China Value
【导读】上半年半导体相关ETF“霸屏”涨幅榜，最高涨超177%
2026年上半年，A股市场一波三折，科技成长板块领跑市场，算力、半导体设备、光模块等细分领域成为全市场“最靓的仔”。
ETF方面，24只股票ETF上半年涨幅翻倍，半导体相关ETF“霸屏”涨幅榜，最高涨超177%，科创芯片、集成电路、TMT相关ETF产品也成为“香饽饽”。
半导体相关ETF“霸屏”涨幅榜
股票ETF（含跨境ETF）方面，2026年上半年，半导体相关ETF一骑绝尘。其中，科创半导体设备ETF鹏华上半年涨幅高达177.30%，位居榜首；紧随其后的是科创半导体ETF华夏、科创半导体设备ETF华泰柏瑞，今年上半年涨幅分别达174.55%、173.06%。
全市场唯一一只跟踪半导体的跨境ETF——中韩半导体ETF华泰柏瑞，今年上半年涨近160%。此外，广发、华夏、易方达、万家、国泰等旗下半导体设备ETF年内均涨超155%。
国泰、富国、博时、南方、嘉实、华安、汇添富等旗下科创芯片ETF年内均涨超109%。
消息层面，世界半导体贸易统计组织（WSTS）发布2026年春季半导体市场预测报告，得益于2025年底及2026年初异常强劲的市场表现，WSTS预计2026年全球半导体市场将同比增长90%，总规模达到1.51万亿美元。
业内人士表示，在AI算力持续扩张的牵引下，存储、封装、晶圆代工与终端硬件正经历一轮深刻的结构性重塑，半导体产业或迎来史无前例的爆发式增长。
业内人士提醒，火爆行情下，当前阶段更需关注交易风险，不宜盲目追高。随着7月中报业绩窗口临近，市场将加速进入去伪存真阶段，具备真实订单、涨价支撑与业绩兑现能力的硬核赛道仍将是资金长期聚焦的方向，纯题材炒作标的会持续被边缘化。后续建议密切关注即将到来的财报季，以及费城半导体指数表现、云服务商资本开支计划、存储芯片价格走势等关键信号。
跌幅榜方面，一批港股互联网ETF领跌，最高跌近38%，此外，中概互联、旅游、地产等相关ETF也跌幅居前。
半导体相关ETF投资图谱一览
目前，A股市场上半导体主题的指数有6只，比较有代表性的指数包括科创半导体材料设备指数、半导体材料设备指数、中证半导体产业指数、中证半导体行业精选指数。其中，科创半导体材料设备指数成份股均来自科创板，其余3只为A股全市场选股。
中证半导体材料设备主题指数：聚焦半导体设备与材料“卖铲人”环节，半导体设备权重约65.37%，半导体材料约22.45%，合计接近90%；前十权重股包括中微公司、北方华创、长川科技、拓荆科技、华海清科等，受益于AI浪潮下的国产芯片需求扩张、晶圆厂扩产、先进封装推进和设备材料国产替代提速。
跟踪该指数的ETF共有5只，其中，半导体设备ETF国泰规模最大、流动性最好，最新规模达406.70亿元。
科创半导体材料设备指数：为科创板中具有代表性的指数，重点聚焦设备（占比为62.60%）和材料（占比为23.06%），但与覆盖全市场的半导体材料设备指数相比，材料所占比重略低，并完全剔除了非科创板的设计与制造类个股。它更像一支专注于科创板核心资产的精锐力量，适合希望通过科创板这一特定板块参与设备与材料行情的投资者。
跟踪该指数的ETF有3只，其中，规模最大的是科创半导体ETF华夏，最新规模为208.41亿元。
南财智讯6月30日电， 中赋科技 公告，特定股东金通安益计划在2026年7月6日至2026年10月5日期间，通过集中竞价、大宗交易方式合计减持公司股份不超过986529股（即不超过公司总股本的0.1755%，剔除公司回购专用账户中的股份数量后，不超过公司总股本的0.1772%）。
（文章来源：南方财经网）
新浪财经 解锁Si+SiC功率半导体“芯”未来！CSPSD2026：硅及碳化硅功率器件与封装分会在沪召开 市场资讯 06.30 18:00 （来源：第三代半导体产业） 解锁Si+SiC功率半导体“芯”未来! CSPSD2026： 硅及碳化硅功率器件与封装 分会 在沪成功召开 在全球能源转型与半导体产业自主可控的双重浪潮下，功率半导体作为新能源汽车、光伏储能、算力数据中心等核心领域的“电力心脏”，正迎来技术迭代与市场扩容的关键爆发期。国内硅基功率器件已完成从跟跑到并跑的跨越，而碳化硅赛道正加速从实验室研发向大规模车规级应用跃迁。 6月26-27日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，由中国科学院上海微系统与信息技术研究所、极智半导体产业网、第三代半导体产业联合主办的“2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026）”在上海召开。 期间，“硅及碳化硅功率器件与封装”平行分会，直面当前行业的核心挑战与战略机遇，将从不同维度解读产业如何抓住能源算力革命的历史窗口，实现从技术突破到商业爆发的跨越。 分会以全链条视角拆解技术痛点、研判产业趋势，汇聚了30余位知名高校、科研院所与企业的领军者，围绕当前产业界的核心关切热点，从器件物理研究与可靠性，关键制造工艺与装备，封装集成与系统级解决方案，具体应用场景和产业化路径展开多方面深度探讨。 特邀请到深圳平湖实验室主任万玉喜，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员程新红，华为数字能源技术有限公司功率芯片专家董少青，厦门大学教授张峰主持，上海碳化硅功率器件工程研究中心副主任、复旦大学副教授刘盼共同主持该论坛。 主持嘉宾 万玉喜 深圳平湖实验室主任 程新红 中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员 董少青 华为数字能源技术有限公司功率芯片专家 张 峰 厦门大学教授 刘 盼 上海碳化硅功率器件工程研究中心副主任、 复旦大学副教授 主题报告 柯灏韬 派恩杰半导体CTO 随着硅（Si）功率器件逼近理论性能极限，碳化硅（SiC）已成为下一代电力电子技术的刚需。然而，传统的引线键合封装引入了严重的寄生参数瓶颈，制约了 SiC 潜能的释放。派恩杰半导体CTO 柯灏韬博士 做了《碳化硅功率器件与新型封装在大功率和高频应用中的技术优势与展望》的主题报告，重点探讨了嵌入式封装（Embedded Packaging）作为一种颠覆性架构平台，在应对两大核心市场驱动力时的独特应用形态：即电动汽车主驱逆变器（Traction Inverter）与人工智能数据中心（AIDC）。针对成本驱动、大功率的主驱逆变器，嵌入式封装显著缩小了系统体积并提升了恶劣工况下的热可靠性；而针对性能驱动的 AIDC 场景——在下一代 AI 工厂部署超高密度的 1 MW（兆瓦级）算力机柜并全面转向 800V 高压直流（HVDC）输电架构的背景下——为了在满足 98.5% 严苛能效指标的同时将开关频率推高至 1 MHz 以上，嵌入式封装通过消除寄生电感，成功解决了超高频带来的电压尖峰与散热难题，大幅压减了电源模块体积以留出算力空间。报告深入分析将 SiC 芯片嵌入基板的技术优势、量产工艺权衡，并对其跨行业的应用前景进行展望。 贾仁需 西安电子科技大学教授 西安电子科技大学教授贾仁需做了《SiC MOSFET DGS失效机制与高dV/dt 耐受能力提升研究》的主题报告，聚焦1200 V SiC MOSFET动态栅极应力（DGS）失效机制与高dV/dt耐受能力的提升研究。研究提出一种过渡区协同优化设计策略，通过缩短薄氧化层长度并降低过渡区表面掺杂浓度，在不牺牲器件静态特性的同时，成功抑制了动态瞬态电场尖峰。实验与仿真验证表明，改善后的器件dV/dt耐受能力显著提升3倍以上（超过300 V/ns），且在2.5×1016次循环冲击后电学特性无退化。该优化方案实现了大规模应用，为产业界高频高可靠性SiC器件的设计提供了极具工程应用价值的参考方案。 吉 来 盛美半导体设备（上海）股份有限公司工艺经理 盛美半导体设备（上海）股份有限公司工艺经理吉来做了《面向功率器件与集成电路的电镀装备关键技术》的主题报告，结合盛美半导体的行业实践，分享了最新研究与实践成果。SiC、GaN等新材料和先进封装技术，在高压、高频、高温等特定领域实现性能突破，以满足新能源汽车、AI服务器、智能电网等新兴应用的迫切需求。随着半导体不断发展，对高速性能计算和高带宽数据传输芯片以及两者的整合方面的要求越来越高。不同功能的芯片之间的互联是芯片整合关键环节，变得越来越重要的同时也遇到了很多技术上的挑战。其中包括更高深宽比的 TSV，铜互连线亚微米大马士革电镀，Cu Pillar大铜柱电镀以及深孔镀金等，盛美的发展历程始终伴随着不断开拓创新，十多年时间先后研发出了单片兆声波清洗、槽式清洗、Tahoe槽式+单片清洗、背面清洗、刷片机、前后道铜互连电镀、立式炉等设备、高速铜电镀技术、边缘湿法刻蚀设备、三代半导体电镀等新技术。2023:推出负压清洗设备，SAPS兆声波清洗设备进入欧洲市场，碳化硅衬底清洗设备、超临界CO2清洗干燥设备进入市场。 何勒铭 COMSO中国应用工程师 COMSO中国应用工程师何勒铭做了《COMSOL多物理场仿真在功率半导体中的应用》的主题报告，结合COMSOL多物理场仿真在功率半导体中的应用实践经验，为与会的研究人员、工程师和企业决策者提供全新的技术视角与强大的工具启示。报告显示，COMSOL多物理场仿真广泛应用于功率半导体领域，功率半导体涉及复杂的多物理场问题，COMSOL 提供丰富的多物理场仿真功能，功率器件设计部分，COMSOL提供半导体模块，专用于研究半导体的工作原理及多物理场耦合效应。功率模组封装设计部分，COMSOL提供了专业的多物理场耦合仿真功能，可精准模拟功率器件在工作过程中存在的各种物理场现象，及其相互耦合作用。功率器件制造工艺部分，COMSOL为半导体制造工艺提供有效的仿真方法，可以模拟工艺制备中的各种物理过程，改善工艺良率、提升设备可靠性。 刘 盼 复旦大学副教授 复旦大学副教授刘盼做了《从器件物理到封装可靠性：碳化硅MOSFET失效机制的多尺度研究》的主题报告，围绕产业实际痛点展开，覆盖多维度的失效机制研究，揭示不同尺度下失效的交织作用机制，为国产高可靠碳化硅器件的设计迭代与车规级应用落地提供了关键的理论支撑与实践参考。 章文通 电子科技大学教授 电子科技大学教授章文通做了《高可靠低损耗200V SOI BCD工艺技术与产业化平台》的主题报告。功率半导体是新能源汽车、智能电网、数据中心高密度供电等系统的核心基础器件，行业发展紧扣 “向极端条件迈进”的演进趋势，高温、高压等严苛工况对器件性能与可靠性提出巨大挑战。面向新能源汽车等特殊应用需求，报告介绍了电子科技大学与华润微电子在SOI BCD方向的系列创新成果：功率半导体电荷场调制新机理、高压MOS匀场新技术及高温高可靠介质新工艺，从机理和工艺层面有效提升了SOI BCD器件综合性能与极端环境可靠性。依托理论与工艺创新，双方建成了高可靠低损耗200V SOI BCD量产工艺平台，完成全套工艺开发与配套PDK套件研制。平台通过AEC-Q100 Grade-1车规可靠性考核，可适配175℃高温应用，支撑国产高可靠低损耗功率半导体芯片量产。 宋开新 杭州电子科技大学教授 杭州电子科技大学教授宋开新做了《5G/6G/WiFi 6E通信用LTCC器件》的主题报告，瞄准新一代通信对射频器件的核心需求，分享LTCC技术适配新一代通信需求的最新研发成果，探讨LTCC器件高性能化、集成化的发展路径。 围绕低温共烧陶瓷技术的核心优势展开全链条解析，结合国内LTCC全产业链的设备、材料、工艺现状，提出了LTCC器件的高密度集成路径，为国内通信射频器件的国产化替代提供了可落地的技术参考。 张荆洁 上海新傲芯翼科技有限公司常务副总经理 随着电动汽车电气架构从12V向48V升级以及功率IC向高压、模拟、逻辑、通信及保护功能单芯片集成的平台化演进，传统体硅工艺面临高压隔离、闩锁效应、串扰、高温漏电和瞬态噪声等多重可靠性挑战。SOI技术通过全介质隔离（顶层硅/埋氧层/支撑衬底）的结构优势，能有效消除寄生闩锁、抑制衬底脉冲干扰、减小寄生参数，为高可靠功率IC提供底层平台支撑。上海新傲芯翼科技有限公司张荆洁经理做了《面向功率IC的高可靠性 SOI衬底技术》的主题报告，结合当前功率IC用SOI衬底的发展现状，不同应用场景对衬底可靠性的核心要求，分享在高可靠性SOI衬底开发中的技术创新成果，并对功率IC用SOI衬底的未来技术发展趋势、国产化替代前景进行展望，为上下游企业协同开发国产高端功率IC提供材料端的思路参考。作为国内SOI材料的领军者，新傲芯翼具备从150mm到300mm的全尺寸产品与产能布局，并强调其角色不仅是材料供应商，更是与客户协同定义平台规格、提供从结构设计到质量控制的全程支持的合作伙伴。报告认为，功率IC的竞争已从器件层延伸到衬底平台层。从材料端开始构建可靠性，是国内功率IC走向高端应用的必然路径，需要产业链上下游协同推进，尤其是共同完善300mm SOI的生态建设。 牟 运 中山大学副教授 中山大学副教授牟运做了《SiC功率模块智能设计与封装集成技术》的主题报告，聚焦SiC功率模块的智能设计与封装集成技术，分享了相关研究进展。针对SiC高速开关特性带来的电磁、热及应力耦合问题，提出基于多物理场代理模型与多目标优化算法的智能设计方法，实现参数自动寻优。开发低寄生电感、高散热性能的三维集成封装结构，集成银烧结、双面散热、3D堆叠等先进工艺。并探讨了SiC功率模块主动热管理。研究表明，智能设计与先进封装融合可显著提升功率密度与寿命，为SiC模块高性能集成提供新型解决方案。 黄 伟 江南大学教授 随着新能源汽车渗透率快速提升（已超40%），其电气化、智能化对电源管理芯片（PMIC）、车载充电器（OBC）和电池管理系统（BMS）等核心芯片提出了高压、高可靠性、低串扰的严苛要求。江南大学教授黄伟做了《面向车规应用的0.15 μm/120V硅P型外延BCD工艺与高压ESD防护》的主题报告，分享了相关关键技术。提出一种120V nLDMOS高压功率器件。该器件采用LOCOS加多晶硅场板调制表面电场，并通过P-Resurf注入及漏区缓变掺杂优化，在-40℃至125℃宽温区内实现了优异且可靠的SOA特性。同时，采用深沟槽隔离（DTI）技术，能极大抑制寄生效应，减少芯片面积，为后续150V器件开发奠定基础。为解决高压环境下的静电防护难题，提出了新型复合PNP ESD（CPNP-ESD）器件。相较于传统横向PNP（LPNP）结构，CPNP通过移除高压N阱（HVNW）形成横向与纵向复合导电路径，有效分散电流、降低导通电阻，从而显著提升了失效电流（It2）和器件鲁棒性，并能确保多finger同时开启，具有更稳定的触发特性和更小的版图面积。该P型外延120V BCD工艺平台成功开发了高可靠性、低Ron.sp的nLDMOS与强隔离DTI技术，并实现了60V-120V高压ESD防护，为满足车规级应用的高要求提供了先进的工艺解决方案。 李明哲 海南大学副研究员 海南大学副研究员李明哲做了《用于优化横向超结导通电阻的应变工程》的主题报告，结合横向超结功率器件的发展现状，当前行业进一步降低导通电阻面临的技术瓶颈，分享在应变工程方向的最新研究成果，打破传统掺杂优化的技术路径局限，将半导体应变工程与横向超结耐压层设计深度融合，为下一代高压集成功率器件的性能升级提供了全新的技术思路。 祝明华 海思半导体功率器件技术专家 海思半导体功率器件技术专家祝明华做了《比导通电阻达1.4 mΩ·cm²的先进碳化硅沟槽型MOSFET技术》的主题报告，报告锚定1.4 mΩ·cm²这一行业领先的比导通电阻指标，拆解了该技术通过优化沟槽刻蚀工艺。结合碳化硅沟槽型MOSFET的技术演进路径，海思半导体的实践经验，分享在低比导通电阻碳化硅沟槽MOSFET领域的技术创新及成果，结合车规主驱逆变器的实测场景，验证了该器件在高频工况下的能效表现，为国内碳化硅器件研发提供产业一线的实践参考。 张 峰 厦门大学教授 厦门大学教授张峰做了《SiC光增强MOSFET功率器件研究》的主题报告，围绕解决传统SiC MOSFET面临的界面态、电控局限等问题，并探索以光子取代或辅助电压信号来控制功率开关的新范式。研究在开发高温、低导通电阻（低至3.3 mΩ·cm²）、高击穿电压（超3.3kV）的SJ-MOSFET方面取得的系列成果，其性能甚至突破了SiC的理论单极极限，证明了SJ结构的价值。针对传统SiC MOSFET因SiO₂/SiC高界面态密度导致的载流子迁移率下降、可靠性问题，以及电压控制固有的电磁干扰(EMI)弱点，报告提出了根本性的创新方案。核心是设计了一种超薄Ti/Au复合金属“栅极”，允许特定波长（200-400nm）的紫外光照射沟道。实验结果表明，在光强下，器件导通电阻（Rₒₙ）可降低40%以上，并能在极低光功率（0.031 W/cm²）下实现比高压负栅压更优的控制效果。这种光控模式从物理机制上规避了界面态问题，并天然具备强抗EMI能力。报告进一步揭示了光控的精细可控特性，其导通状态可以精确依赖入射光的波长和功率进行调控，这为实现基于光编码的逻辑电路和三进制逻辑器件奠定了基础。此外，还介绍了性能更强的光控碳化硅FinFET设计方案，展示了高电流密度等优势。最后，通过对电控与光控机理的对比分析，阐明了光生载流子直接调制电导、降低势垒的工作原理，实现了1.28纳秒的快速上升开关速度。 李道会 合肥昕感科技有限公司总经理 合肥昕感科技有限公司总经理李道会做了《SiC产业发展：EV电动化破局，能源算力重塑增长》的主题报告，围绕碳化硅（SiC）第三代半导体展开，指出在双碳目标、新能源汽车爆发、AI 算力激增的背景下，传统硅基器件难以满足高压、高频、高效电能转换需求，SiC 凭借高耐压、耐高温、高频高效、高功率密度四大优势，成为新一代电力核心器件。在新能源汽车领域，SiC 支撑 800V 高压平台，提升电驱效率、增加续航并实现超快充，正从高端车型向主流车型普及，国产 SiC 芯片与车规模块已实现规模化突破。昕感科技拥有芯片设计到封装测试全栈能力，推出多款符合车规标准的 SiC 功率模块。在 AI 算力领域，SiC 可大幅降低数据中心供电损耗、优化 PUE 值，支撑高压直流供电与固态变压器，成为继电动车后的第二增长曲线。目前中国 SiC 产业链已全面突破，未来将向大尺寸晶圆、沟槽型器件、集成化封装升级，同时亟需材料、电力电子、热学等跨学科复合型人才。 崔潆心 山东大学副研究员 山东大学副研究员崔潆心做了《大电流高压碳化硅器件及产业化》的主题报告，围绕碳化硅器件的应用优势、技术挑战、具体研发成果和产业化布局展开。系统阐述了团队在大电流、高压碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）的设计、制造及产业化进程。为应对碳化硅器件在实现高耐压（至5000V）与大电流（至200A）的产业挑战，特别是传统离子注入技术可能引入晶格损伤从而影响长期可靠性的问题，研究团队（山东大学与中晟芯科）取得的关键突破：成功研发并制备了无需离子注入、独特的“P型外延岛”结终端结构。这项授权专利技术在保证可靠性的同时，有效调控电场分布，使1200V SBD达到了1543V的击穿电压及反向漏电流仅为1.5μA的优异水平，性能比肩国际主流产品。产业化方面，依托中晟芯科的产线，已建成年产能超1.5万片的SiC功率芯片中试线，实现了650V至5000V、2A至200A的全系列SBD产品覆盖，覆盖TO封装、陶瓷封装及SOT-227模块。关键产品，如650V-10A和1200V-20A器件，已通过包括HTRB、H3TRB、IOL、高温存储、高压蒸煮等在内的全套严苛可靠性测试，并由实测数据展示了优异的工艺一致性、材料均匀性和稳定电气特性，具备良好的正向温度系数和反偏正温度系数特性。这标志着从创新结构设计、高参数器件验证到大规模量产的自主可控供应链建设已经步入实践阶段。 雷诏凯 上海交通大学 上海交通大学雷诏凯做了《高压功率模块封装绝缘测试及评估》的主题报告，分享高压功率模块封装绝缘的材料、结构设计优化及多维度测试评估方法的系统研究成果，为高压功率模块封装的可靠性提升提供参考。研究重点揭示了高dV/dt单极性方波电压下封装绝缘中存在的“跨尺度周期脉动电荷输运”现象。报告团队开发了亚兆赫兹级瞬变方波空间电荷检测技术，首次实现了纳秒级上升沿、kHz级方波下的单周期快速电荷检测。同时，创新性地提出并实现了对DBC封装基板的非介入式表面电位-电荷测试及反演算法，定量掌握了温度、电场、波形参数（频率、占空比、上升时间）对界面电荷积聚与衰减的影响规律。在局部放电（PD）测试与评估方面，报告分析了传统电测、声测、光测等方法在高速方波下的局限性（如位移电流和电磁干扰）。针对性地介绍了下混频检测技术以有效抑制方波脉冲干扰，并系统评估了外壳沿面放电和封装内部放电的特性。研究发现，单极性方波下沿面放电电压最低且呈现饱和特性；内部PD起始电压（PDIV）和绝缘寿命受温度、方波上升时间、重复频率、占空比综合影响，为高压功率模块的绝缘设计与可靠性评估提供了关键数据。 陈 帆 苏州东微半导体股份有限公司研发总监 苏州东微半导体股份有限公司研发总监陈帆做了《东微SiC产品赋能AIDC》的主题报告，结合行业发展趋势与公司技术成果，分享宽禁带半导体如何赋能AI数据中心降本增效，为行业提供可借鉴的实践方向。 报告显示，东微SiC MOSFET现有产品采用平面栅结构，融合了公司独有的器件工艺设计，并结合了中国一流的碳化硅制造与封装技术，整体性能达到国际先进水平。东微正在进行沟槽栅结构SiC MOSFET的研发, 预计2026Q4有样品推出。其SiC MOSFET 产品已布局400V, 650V, 1200V，1700V，2300V 系列，主力量产平台650V, 1200V，并提供Top-Side cooling package，顶部散热器件封装方案进一步提升电源功率密度。报告指出，AIDC供电技术UPS、传统HVDC、巴拿马电源、英伟达800V HVDC、SST，五种技术将长期共存，形成多层次SiC需求结构，而非简单线性替代。伴随服务器功率不断上涨，AIDC 配电架构正朝着高压直流（HVDC）方向发展，800V HVDC成为必然选择。东微SiC在800V AIDC上的布局涉及AC/DC整流、Storage DC/DC、HV IBC DC/DC、SST (远期)、GaN协同等。 邵 帅 浙江大学副教授 采用SiC MOSFET器件直串构建10 kV级中压电力电子装备，是实现高效率、高功率密度换流器的一条重要技术路线。浙江大学副教授邵帅做了《基于有源箝位均压的功率器件直串技术》的主题报告，介绍有源箝位型串联均压技术，实现串联器件电压均衡，不均压度小于5%；在此基础上，将主功率器件与均压辅助器件集成封装，采用1.2 kV SiC MOSFET芯片研制7.2 kV/240 A高压功率模块，其损耗仅为同级别IGBT模块的约5%。基于该模块构建两电平换流器样机，在3.6 kV、155 kW、10 kHz工况下实现约99.0%的效率。报告介绍将TMR电流传感器集成于功率模块内部的快速保护方案，实现百纳秒级过流与短路检测。 姚佳飞 南京邮电大学南通研究院常务副院长 南京邮电大学南通研究院常务副院长姚佳飞做了《内嵌SBD的碳化硅功率器件可靠性研究》的主题报告，分享了相关研究成果。内嵌SBD的碳化硅（SiC）纵向功率器件凭借其优异的反向恢复特性与低损耗优势，在高效电能变换领域展现出巨大的应用潜力。然而，引入独特的SBD结构也使得该类器件在极端电热耦合工况下的可靠性成为制约其广泛应用的关键挑战。基于自主搭建的可靠性测试平台，系统评估了内嵌SBD器件在短路应力、雪崩应力以及重复开关应力下的鲁棒性。研究不仅探明了器件的单脉冲短路耐受能力和单脉冲雪崩失效边界，同时深入揭示了器件在重复短路、重复UIS以及重复开关应力下独特的电学参数退化机理与失效模式。本研究成果为优化内嵌SBD的SiC纵向功率器件设计、全面提升其可靠性提供了关键的实验依据与理论指导。 韦文生 温州大学教授 温州大学教授韦文生做了《一种增强型横向3C/4H-SiC异质结晶体管HEMT》的主题报告。3C/4H-SiC异构结(HCJ)可通过自发极化效应在界面形成2DEG，同素异型的HCJ界面没有元素交叉污染，界面应变微弱，热导率高，具有GaN/AlGaN异质结难以匹敌的优势。目前，集成3C/4H-SiC HCJ的HEMT的报道还不多见。报告提出一种集成3C/4H-SiC HCJ的增强型HEMT，其中HCJ因自发极化效应产生高迁移率的2DEG，可降低比导通电阻( R on, sp )；p-4H-SiC衬底辅助耗尽层、n + -4H-SiC深漏区和栅极场板协同用于提升击穿电压( V B )。采用TCAD软件，模拟了器件的3C-SiC沟道层掺杂浓度( N 3C )及厚度( L 3C )、n-4H-SiC缓冲层掺杂浓度( N B )、n + -4H-SiC深漏区厚度( L D )等参数对器件性能的影响，优化了器件的静态、动态性能和 R on, sp 与 V B 之间的折中关系。在扣除20.00 %设计裕量之后，本器件仍能达到850.00 V耐压。对比没有2DEG的SiC横向MOSFET，本器件的 R on, sp 降低85.31 %， V B 提升61.40 %；另外，栅极阈值电压( V th )、峰值跨导( g m )、 R on, sp 的温度敏感性降低；由于本器件2DEG的电子聚集导致UIS的耐受时间缩短；对比AlGaN/GaN MOS-HEMT [DOI: 10.1109/TED.2020.3043213]，本器件的 R on, sp 降低78.88 %， V B 提升至1.8倍。研究为研制耐高温、耐高压、高可靠的HEMT提供新的思路。 俞修平 英飞凌科技（中国）有限公司主任工程师 当前车用两电平电驱拓扑技术已日趋成熟，系统效率逐步逼近理论瓶颈，仅依靠器件升级、单一环节优化，很难再实现能效大幅跃升。而整车电驱系统是电控、功率器件、电机高度耦合的整体，三电平拓扑正是从系统维度突破能效上限的优选方案。英飞凌科技（中国）有限公司主任工程师俞修平做了《三电平技术重塑电机控制未来》的主题报告，分享了三电平技术进展。报告指出相较于传统两电平，三电平最核心的优势体现在电压阶梯细化、开关损耗与谐波抑制两大维度。其输出电平数量更多，电压波形更接近正弦波，可显著降低输出电流谐波，一方面减少电机铜损、铁损与振动噪声，提升电机运行效率；另一方面大幅降低功率器件的开关电压应力，有效削减 IGBT 等功率半导体的开关损耗与导通损耗。同时，更低的谐波与 dv/dt 也降低了电控回路的电磁干扰与线路损耗，无需过度依赖滤波器件，进一步精简系统架构。从电控、功率器件到电机全链路协同优化，三电平拓扑能够在高转速、大功率工况下持续拉高电驱系统综合效率，成为当下突破两电平能效瓶颈、升级新一代车用驱动系统的关键技术路线。 刘新杰 上海积塔半导体有限公司市场总监 当前全球新能源汽车产业正进入SiC技术规模化普及的爆发期，800V高压平台渗透率快速提升，但国内车企长期面临供应链保供、成本管控的双重压力，车规级SiC芯片的国产化量产已成为国内新能源产业突破“卡脖子”环节的刚需。上海积塔半导体有限公司市场总监刘新杰做了《碳化硅工艺平台车规级应用量产实践》的主题报告，聚焦国内车规级SiC芯片量产的产业落地痛点展开，分享在车规级碳化硅领域的量产实践经验。作为国内少数具备车规级特色工艺制造能力的平台企业，积塔半导体结合自身量产实践，分享了国内车规SiC工艺平台从技术验证到稳定量产的全链路落地经验，面向新能源汽车主驱逆变器、BMS、车载充电机等核心场景，为国内芯片设计企业提供高可靠的车规级SiC晶圆代工服务，支撑国内新能源汽车产业实现SiC核心器件的自主可控与成本下探，推动国产SiC器件在车规市场的渗透率快速提升。 郑 重 中国科学院上海硅酸盐研究所博士后 中国科学院上海硅酸盐研究所博士后郑重做了《高性能SiC/AlN光导开关器件及可靠性研究》的主题报告，系统地阐述了团队在面向高功率脉冲领域的宽禁带半导体光导开关方面的研究进展、性能瓶颈分析与未来发展方向。针对高功率脉冲场景对开关器件高压、高速、长寿命的严苛需求，团队跳出传统宏观结构优化的局限，从材料微观缺陷入手，揭示了SiC内部深能级陷阱是制约器件光电转换效率、引发电场畸变和热失效的核心根源。在此基础上，团队同步推进宏观与微观双向优化：宏观上采用背面照射、新型电极结构均化电场，将1200V偏压下的导通电阻降至6Ω；微观上通过光谱手段精准表征0.4-0.79eV的关键深能级缺陷，为缺陷调控和寿命评估提供依据。目前团队已形成从SiC晶体制备到器件流片的全链条自主技术，后续将依托自研AlN单晶，向深紫外光控的超宽禁带光导开关方向推进，为高功率脉冲领域提供全固态高性能开关解决方案。 高 磊 中国工程物理研究院电子工程研究所 微系统与太赫兹研究中心副研究员 中国工程物理研究院电子工程研究所微系统与太赫兹研究中心副研究员高磊做了《高密度低电感脉冲功率模块设计与验证》的主题报告，介绍了一项面向高功率密度、极快响应速度需求的先进脉冲功率模块集成技术。团队创新性地提出了基于 “Bare Die（裸芯片）”的三维垂直堆叠集成方案，并配合双面陶瓷通孔（TCV）散热及面键合技术进行设计。通过系统的场路协同仿真、TCV结构优化及基于磁场相消原理的三维布局优化，该模块的整体回路寄生电感被降至10nH以下，最优设计可低至约5nH，相较于传统PCB方案的寄生电感降低了14倍。同时，模块体积被大幅缩减至仅1立方厘米（17mm × 9mm × 6.5mm），体积减小为原先的1/35。基于此技术，团队将碳化硅（SiC）SGTO开关芯片与SiC PiN续流二极管成功进行芯片级集成，实现了样机模块的研制与验证。该样机在高达6kV的阻断电压下漏电流≤10μA，可实现不小于6kA的脉冲峰值电流输出，脉冲功率等级达到约30兆瓦（MW）。 葛昱初 香港科技大学 香港科技大学葛昱初做了《基于时域栅极电阻调制的并联碳化硅 MOSFET 热管理技术》的主题报告，分享团队在碳化硅器件热管理领域的最新研究成果，针对当前并联碳化硅MOSFET的核心痛点提出了创新性的解决方案，为破解并联器件均热均流难题提供全新思路。提出并验证了一种基于时域栅极电阻调制的主动热管理方法。该方法的核心原理是利用并联SiC MOSFET支路间栅极驱动电阻的差异（ΔRG），来实现开关损耗的重新分配，从而达到主动温度调节的目的。关键创新在于时域（time-domain）调制，而非固定单一阻值：将时间划分为短周期（微秒级，对应开关动态）和长周期（毫秒级，对应热动态）。在由开关周期数定义的长时间调节窗口内，仅在一部分开关周期内，通过电子开关动态切换至不同阻值的栅极电阻对，使其中一只MOSFET切换到更快的关断与开启状态，承受更多开关损耗；其余大部分周期则恢复至正常阻值，系统总损耗保持不变。研究提供了一种新颖且实用的热管理解决方案，通过巧妙的时域栅阻调制，实现了并联SiC MOSFET热分布的高效控制，有望显著提升功率系统的可靠性与使用寿命。 段于涵 复旦大学 复旦大学段于涵做了《1700V 电荷平衡辅助结构 SiC MOSFET 器件及其性能研究》的主题报告，研究在传统SiC MOSFET结构中引入电荷平衡辅助设计，旨在解决功率器件高压击穿电压（BV）与低导通电阻（R_dson）之间的矛盾。通过在JFET与漂移区构建交替分布的N/P柱，实现电场与电荷的精准调控。该设计在兼容现有标准工艺的前提下，将器件导通电阻最高降低38.06%，同时保持约2kV的击穿电压。该结构能有效抑制短路工况下的峰值电流，使器件短路耐受时间提升70%至5.1μs，大幅增强了高压工况下的鲁棒性。同时，其体内二极管的反向恢复特性也得到优化，高温下的反向恢复电荷表现更优，最终实现了导通损耗、耐压能力与瞬态可靠性的协同提升。 赵昌哲 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 中国科学院上海微系统与信息技术研究所赵昌哲做了《基于同步辐射X射线的SiC MOSFET原位表征研究》的主题报告，介绍了团队开发的一项创新性微观缺陷原位表征技术，旨在解决SiC（碳化硅）功率器件在制备和工作条件下微结构演变精准分析困难的科学难题，为揭示器件失效机理、优化性能与可靠性提供直观的实验证据。研究发展适配SiC MOSFET的高分辨X射线形貌技术，研制“电学-形貌”原位表征装置，研究成功建立了一套“所见即所测”的同步辐射原位表征方法，能够直观地将器件的宏观电学行为与其内部的微观缺陷动态响应直接关联。 孟梣炜 温州大学 温州大学孟梣炜做了《集成积累层沟道和反型层沟道的自恢复SiC MOSFET》的主题报告，提出并系统分析了一种新型 “HCJ-MC-MOSFET”器件结构。该器件展现出了优异的静态和动态特性折衷：比导通电阻仅为3.49 mΩ·cm²，击穿电压2197.5 V，其静态品质因数（FOM_BR，即V_B²/R_on,sp）达到1.38 GW/cm²，优于报告中作为对比的其他先进结构（如HCJ-ACCUFET、HCJ-IC-MOSFET等）。引入的HCJ结构未劣化阈值电压、导通电阻和击穿特性，但成功将反向恢复峰值电流密度降低了36.21%（相较于参照器件MC-MOSFET），并显著降低了开启反向续流的门槛电压。此外，该结构支持多种栅极驱动模式（PG+AG联动、仅PG、仅AG），以适应不同场景对开关速度与能耗的特定要求。该研究创新地融合了双沟道结构与3C/4H-SiC异质结，提供了一种在保持高耐压的同时，有效降低比导通电阻并显著改善反向恢复特性的SiC MOSFET新方案。 刘 仪 上海电力大学 上海电力大学刘仪做了《基于 C-MOS 基准的高频低损耗 650 V SiC MOSFET 瞬态鲁棒性综合表征》的主题报告，提出了一种名为“LQ-TRFOM”的综合性能评价指标，并借此系统地分析与比较了三种不同结构的650V SiC MOSFET在高频应用下性能与可靠性之间的矛盾与权衡。研究指出，仅优化Q_gd并不会同步提升所有瞬态鲁棒性指标。SG-PB-MOS结构在“高频低损耗”与“短路鲁棒性”之间取得了最佳平衡，尽管其雪崩耐量有所牺牲。基于等权重乘积的LQ-TRFOM指标对此进行了量化，SG-PB-MOS的LQ-TRFOM值最高（3.13），证明其在三项核心指标（Q_gd、SCWT、E_avc）的综合表现最优。 CSPSD2026设有重量级开幕大会，“硅、碳化硅功率器件及封装”、“ 氮化镓器件及集成应用”、“半导体绿色厂务技术”、“氧化镓、金刚石功率器件及集成应用”等四大平行分会，近90个主题报告，100+专家、学者&企业精英，超100家单位，围绕相关领域的前沿热点、技术进展、应用、产业趋势等，展开深入探讨分享交流，共议发展新态势。此外还设有POSTER交流与评选、益企跑、标杆企业实地考察等丰富活动。 会议多元板块重磅集结，技术与产业并举，一站式搭建产业交流、供需对接、资源互通的高质量平台。 展示交流 会议同期，特别设有先进半导体技术应用专业展区，提供交流合作的平台，推动资源高效对接，助力捕捉合作新机遇。 芯钬量子、盛美半导体、麦科信、COMSOL中国、派恩杰半导体、芯创德半导体、国联万众半导体、索相科技、昕感科技、富加镓业、深圳平湖实验室、国磊半导体、清纯半导体、瞻芯电子、蓝河科技、启扬光学、博测、新微半导体、时变通讯、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）、苏州微分、成都复锦功率半导体、海瑞电子、镓仁半导体、鼎泰匠芯、Silvaco 等数十家产业链代表性企业、机构亮相，与业界同仁现场互动探讨，共促功率半导体器件与集成电路产业协同发展。 CSPSD 2026：优秀技术创新产品、优秀市场表现产品、 优秀工艺平台三大重磅荣誉揭晓 值得一提的是，上海功率半导体全产业链生态完整，也是国内集成电路产业发展高地，正在全力打造宽禁带半导体产业集群，也为国内功率半导体产业创新发展提供优质的创新土壤与发展机遇。会议期间，组委会有序组织了标杆企业实地参访行程，实地参观考察上海临港车规半导体研究院，上海鼎泰匠芯科技有限公司，近距离洞悉产业前沿工艺与规模化发展布局，深入发掘合作机会，共赢发展。 window.STO=window.STO||{};window.STO.fw=new Date().getTime(); 相关新闻 --> 推荐阅读 --> 加载中... 视频 直播 美图 博客 看点 政务 搞笑 八卦 情感 旅游 佛学 众测 首页 导航 反馈 登录 Sina.cn(京ICP证000007) 2026-06-30 20:01